[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-25] Si基板上のGaN成長におけるピット生成・消滅メカニズムの解析

〇出浦 桃子¹、曽我 拓実²、岡本 和也¹、百瀬 健¹、依田 孝³、高橋 英志³、家近 泰³、宮野 清孝³、津久井 雅之³、杉山 正和⁴、霜垣 幸浩¹ (1.東大院工、2.東大工、3.ニューフレアテクノロジー、4.東大先端研)

キーワード：GaN、Si基板、ピット

Si基板上へのGaN-MOVPEにおいて，製膜条件によってAlNバッファ層内に結晶方位が面内で30度回転した領域である回転ドメインが発生する場合がある．一部の回転ドメイン上ではひずみ超格子にも方位回転が引き継がれるが，その成長初期に終端してピットが発生することが分かった．発生したピットの大部分は成長中に消滅するが，一部が表面に到達する．