[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-PB3-25] Analysis on mechanism of generation and extinguishment of pits during GaN growth on Si substrates

〇Momoko Deura¹, Takumi Soga², Kazuya Okamoto¹, Takeshi Momose¹, Takashi Yoda³, Hideshi Takahashi³, Yasushi Iyechika³, Kiyotaka Miyano³, Masayuki Tsukui³, Masakazu Sugiyama⁴, Yukihiro Shimogaki¹ (1.School Eng., Univ. Tokyo, 2.Faculty Eng., Univ. Tokyo, 3.NuFlare Technology, 4.RCAST, Univ. Tokyo)

Keywords:GaN, Si substrate, pit

Si基板上へのGaN-MOVPEにおいて，製膜条件によってAlNバッファ層内に結晶方位が面内で30度回転した領域である回転ドメインが発生する場合がある．一部の回転ドメイン上ではひずみ超格子にも方位回転が引き継がれるが，その成長初期に終端してピットが発生することが分かった．発生したピットの大部分は成長中に消滅するが，一部が表面に到達する．