[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-PB3-28] Electrical resistivity of InAlN grown on a glass substrate by low-temperature RF-MBE

〇Hiroki Yamaki¹, Ito Taiki¹, Shimizu Riku¹, Kiuchi Shota¹, Adachi Miki², Makimoto Toshiki¹ (1.Waseda Univ., 2.Mitsubishi Material corp.)

Keywords:semiconductror, InAlN, MBE

現在、抵抗率が負の温度係数を持つ NTC サーミスタは酸化物が主流であり、窒化物サーミスタを目指す研究は行われてこなかった。しかしながら、窒化物半導体の方が、高温熱応答性やフレキシブル性などに優れているため、幅広い分野での応用が可能になる。InAlN は 0.65 ~ 6.2 eVの非常に幅広いバンドギャップエネルギーを持ち、発光デバイスや電子デバイスなどへの応用が行われてきた。本研究では、サーミスタ応用に向けて、ガラス基板上に InAlN を成長した。そして、抵抗率の温度依存性を測定することにより、B 定数に Al 組成が与える影響を評価した。