[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-PB3-3] Growth of AlN layer by UHV sputter-epitaxy method (Ⅰ)

〇Takuya Osada¹, Masaki Iwamoto¹, Naoki Fukuda¹, A-i Mizuno¹, Ki Ando¹, Hiroyuki Shinoda¹, Nobuki Mutsukura¹ (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:Aluminium Nitride, Sputter

我々は，超高真空(UHV)高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて，Ⅲ族窒化物半導体のエピタキシャル成長を行っている．これまで，金属Gaターゲットを用いたGaN層の成長において，反応ガスのN₂/Arガス混合比と基板温度の両方が低い領域では，GaN層の表面に金属Gaドロップレットが見られた．また，基板温度の上昇に伴い，二次元的な成長から三次元的な成長に遷移することが解った．今回は，基板温度を広い範囲で変化させてAlN層の成長を行い，その成長メカニズムについて検討したので報告する．