[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-PB3-31] First-principles analysis of N-N, C-C, and C-H bonds in a Na-Ga melt

〇Takahiro Kawamura^1,2, Masayuki Imanishi², Masashi Yoshimura², Yusuke Mori², Yoshitada Morikawa² (1.Mie Univ., 2.Osaka Univ.)

Keywords:GaN, First-principles calculation, solution growth

溶液成長では溶媒や添加物が触媒として働き，結晶成長に大きく影響することが知られている．その一方で最適な溶媒や添加物を探すことは難しく，その原理について詳細な理解が求められている．本研究では第一原理計算を用いてC添加Naフラックス法によるGaN成長に関して重要な原子間(N-N，C-C，C-H)の結合について，Na-Ga融液中での結合エネルギーとその結合状態を調べた．