[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-PB3-43] Development of Thermionic Emitters using Nitride Semiconductors

〇Hisashi Yoshida¹, Shigeya Kimura¹, Shota Uchida², Akihisa Ogino² (1.Toshiba Corp., 2.Shizuoka Univ.)

Keywords:thermionic emission, nitride semiconductor

窒化物半導体であるAlGaNは直接遷移型のバンド構造を有するワイドバンドギャップ半導体であり、光デバイスやパワーデバイスへ応用されている。また、AlGaNは高温環境にも耐性があり、n型化しやすく、バンドエンジニアリングができる材料である。以上のことから、AlGaNは熱電子放出素子に応用できる可能性がある。本報告では、SiドープAlGaNの熱電子放出特性を調査した結果について報告する。