The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Poster presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V-group nitride crystals

Wed. Sep 18, 2019 9:30 AM - 11:30 AM PB3 (PB)

9:30 AM - 11:30 AM

[18a-PB3-47] Stability of NiO/InGaN/n-GaN photoanodes during solar water splitting

Kazuhide Kumakura1, Yuya Uzumaki2, Yoko Ono2, Takeshi Komatsu2, Junichi Nishinaka1 (1.NTT BRL, 2.NTT DTL)

Keywords:solar water splitting, InGaN, NiO cocatalyst

太陽光を利用した光水分解において、窒化物半導体は、その混晶組成により赤外から紫外域の光を吸収することが可能であるため、光陽極の光吸収層として有望な材料である。これまで我々は、AlGaNおよびInGaN系光陽極を用いた光水分解において、高効率で長寿命な水素・酸素発生の検討を行ってきた。今回、InGaN系光陽極の安定性に関し、評価・検討したので報告する。