[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-PB3-5] Growth of AlN layer by UHV sputter-epitaxy method (Ⅲ)

〇Naoki Fukuda¹, Takuya Osada¹, Masaki Iwamoto¹, A-i Mizuno¹, Ki Ando¹, Hiroyuki Shinoda¹, Nobuki Mutsukura¹ (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:Aluminum nitride, Sputter

我々は，UHV高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて，Al₂O₃基板上へのGaN系単結晶層の成長を行っている．これまで，基板温度やN₂/Arガス混合比を変化させてAl₂O₃基板上に直接成長した単結晶層の品質について検討を行ってきた．今回は，成長時のガス圧力を変化させてAlN層の成長を行い，表面形態や結晶性に与える影響について検討を行ったので，その結果について報告する．