2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム(technical) » 窒化物半導体特異構造の科学 ~新機能性の発現と電子・光デバイスへの展開~

[18p-E101-1~7] 窒化物半導体特異構造の科学 ~新機能性の発現と電子・光デバイスへの展開~

2019年9月18日(水) 13:30 〜 17:30 E101 (大講堂)

平山 秀樹(理研)、小出 康夫(物材機構)

14:00 〜 14:30

[18p-E101-2] 高周波GaN HEMTの高性能化に向けたデバイス開発

尾崎 史朗1,2、牧山 剛三1,2、多木 俊裕1,2、熊崎 祐介1,2、新井田 佳孝1,2、佐藤 優1,2、美濃浦 優一1,2、山田 敦史1,2、小谷 淳二1,2、岡本 直哉1,2、中村 哲一1,2 (1.富士通、2.富士通研)

キーワード:高周波GaN HEMT