PDF ダウンロード スケジュール 74 いいね! 8 コメント (0) 14:00 〜 14:30 [18p-E101-2] 高周波GaN HEMTの高性能化に向けたデバイス開発 〇尾崎 史朗1,2、牧山 剛三1,2、多木 俊裕1,2、熊崎 祐介1,2、新井田 佳孝1,2、佐藤 優1,2、美濃浦 優一1,2、山田 敦史1,2、小谷 淳二1,2、岡本 直哉1,2、中村 哲一1,2 (1.富士通、2.富士通研) キーワード:高周波GaN HEMT