[18p-E207-1~11] 15.1 バルク結晶成長

[18p-E207-11] Inフラックスを用いた温度差法とトラベリングヒーター法によるGaSe結晶の低温溶液成長

〇佐藤 陽平¹、唐 超¹、渡辺 克也¹、大崎 淳也¹、山本 卓也²、田邉 匡生¹、小山 裕¹ (1.東北大工、2.東北大環)

キーワード：ガリウムセレン、溶液成長、テラヘルツ波

本研究ではTHz波光源用の結晶として層状化合物半導体であるGaSeのバルク結晶を溶液成長により成長している。今回の発表では種結晶を用いずにGaSeのバルク結晶を成長するためにIn溶媒中から温度差法とトラベリングヒーター法の2つの方法を用いてGaSeの結晶成長を行った。また成長した結晶を用いてTHz波発生を行い、Ga溶媒から成長したGaSe結晶とのTHz波発生特性の比較を行った。