[18p-E207-1~11] 15.1 Bulk crystal growth

[18p-E207-9] Optical characterization of fluorescent SiC with high boron and nitrogen concentrations

〇Daiki Tanaka¹, Weifang Lu¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Akasaki research ctr)

Keywords:silicon carbide, optical characterization, closed sublimation growth

ホウ素、窒素をコドーピングした6H-SiCはDAP発光によって約570nmをピークとするブロードな蛍光スペクトルが得られる。これは蛍光SiCと呼ばれ、ポーラス構造を持ったポーラス蛍光SiCと組み合わせることによって高演色白色LEDの作製が可能となる。本研究では高発光効率化に不可欠なホウ素、窒素を高濃度でドーピングした蛍光SiCについてIQEなどの発光特性を調査した。