[18p-E214-1~13] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[18p-E214-8] Independent Control of Thermal Conductivity and Electrical Conductivity by change of Si nanopillar spacingc

〇(PC)Daisuke Ohori¹, Hidesato Kuboyama⁴, Masayuki Murata³, Atsushi Yamamoto³, Masahiro Nomura⁵, Kazuhiko Endo^1,3, Seiji Samukawa^1,2,3 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.AIMR, Tohoku Univ., 3.AIST, 4.TUS, 5.IIS Univ. of Tokyo)

Keywords:Si nanopillar structure, bio-template, neutral beam etching

AI・IoT社会の実現を目指し、IoTセンサ用自立電源において低環境負荷なSiを用いた熱電変換素子が注目されている。Si薄膜における熱電変換素子では、Siにナノ構造を形成することで、絶対性能指数(ZT)の向上が図られている。本研究では、間隔を制御した無欠陥Siナノピラー構造にSi_0.7Ge_0.3を埋め込んだ複合材料における熱伝導率異方性とキャリア輸送特性に与える影響を検討した。