[18p-E304-1~10] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[18p-E304-10] Low Schottky barrier height and high thermal stability of Co/n-Si junctions inserting WSi_n

〇Naoya Okada¹, Noriyuki Uchida¹, Shinichi Ogawa¹, Toshihiko Kanayama¹ (1.AIST)

Keywords:Contact, Schottky, Silicide

最先端CMOSではCoが次世代電極材料として期待されている。アモルファスWSi_n膜をSiとCo電極の接触界面に挿入することで、フェルミレベルピンニングを緩和でき、電子障壁高さを0.43 eVまで低減できる。さらに、Coに対するWSi_nの優れた拡散バリア特性により、SBH低減効果は600 ˚Cの熱処理後も維持される。従って、WSi_nはCoコンタクト用のシングル挿入層としてnFETのS/Dへの適用が期待される。