[18p-E308-1~18] 17.2 Graphene

△ [18p-E308-1] Electrostatically confined quantum structure in bilayer graphene

〇Kohei Sakanashi¹, Naoto Wada¹, Jonathan Bird², Kenji Watanabe³, Takashi Taniguchi³, Gil-ho Kim⁴, Nobuyuki Aoki¹ (1.Chiba Univ., 2.Univ. at Buffalo, 3.NIMS, 4.SKKU)

Keywords:graphene, quantum point contact, quantum device

h-BNによって挟まれた高移動度二層グラフェンに垂直電場を印加することで形成されるバンドギャップを用い、量子閉じ込め構造、特に量子ポイントコンタクト(QPC)を作製した。二層グラフェンQPCを通過するキャリアの縮退度はバレー、スピンの縮退度から4重縮退と予想されるが、実験結果より二重縮退であることがわかった。これは垂直電場によってバレー縮退が解けたことによる影響だと考えられ、バレー偏極電流が形成されている可能性が考えられる。