2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-E311-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年9月18日(水) 13:15 〜 18:00 E311 (E311)

松野 丈夫(阪大)、服部 梓(阪大)

16:15 〜 16:30

[18p-E311-12] VO2モットトランジスタにおける微細化の影響

矢嶋 赳彬1,2、佐俣 勇祐1、西村 知紀1、田中 貴久1、内田 建1、鳥海 明1 (1.東大、2.JSTさきがけ)

キーワード:金属絶縁体転移、不均質性、スティープスロープ

理想的なモットトランジスタは、チャネル材料の金属絶縁体転移によって、急峻にON/OFFスイッチングすると期待されてきた。しかし実デバイスでは、金属絶縁体転移に本質的な「不均質性」のため、緩慢なスイッチング特性しか得られない。本研究では、VO2をチャネルとするモットトランジスタにおいて、チャネル長を金属絶縁体転移の「不均質性」の長さスケールまで微細化することで、急峻なスイッチング特性が得られることを明らかにした。