2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[18p-E317-1~11] 9.1 誘電材料・誘電体

2019年9月18日(水) 13:15 〜 16:30 E317 (E317)

和田 智志(山梨大)、上野 慎太郎(山梨大)

16:00 〜 16:15

[18p-E317-10] 正方晶タングステンブロンズ型 K2RNb5O15R:希土類)における反極性構造と電界下誘電特性

村田 智城1、赤松 寛文2、平井 大介1、大場 史康3、廣瀬 左京1 (1.村田製作所、2.九州大学、3.東京工業大学)

キーワード:誘電体、反強誘電体、キャパシタ

積層セラミックコンデンサ向け材料としては長年に渡りBaTiO3が用いられてきたが、BaTiO3をはじめとする強誘電体はDC電界下において誘電率が低下する。近年の誘電体層厚の薄層化に伴ってDC電界下における誘電率低下の問題は深刻化しており、我々はこの問題を解決するために高電界下で高い誘電率を持つ新しい誘電体材料の探索を行っている。本公演では正方晶タングステンブロンズ型のK2RNb5O15に着目し、この反強誘電的な誘電特性と、第一原理計算から予測された反極性構造について報告する。