[18p-N302-1~18] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [18p-N302-14] Interface control of Al₂O₃/AlGaN/GaN structures for MOS-HEMT application

〇Ryota Ochi¹, Yuji Ando¹, Shota Kaneki¹, Tamotsu Hashizume¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, HEMT, Interface states

GaN系HEMTはさらなる高周波化・高効率化が期待されている。GaN系HEMTはSiCやSiなどの異種基板上に作製されており、複雑なバッファ層や高い転位密度がデバイス性能を制約する要因となっている。ここでは、GaN系MIS-HEMTの種々の性能指標を知るために、自立基板上に成長したAlGaN/GaN構造にMOSダイオードとMOS-HEMTを作製し、界面特性とデバイス特性を評価した。