[18p-N302-1~18] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18p-N302-4] Evaluation of hole traps introduced by electron beam irradiation in homoepitaxial n-type GaN

〇Meguru Endo¹, Kazutaka Kanegae¹, Masahiro Horita^1,2, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS)

Keywords:Gallium Nitride, point defects, electron beam

GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，意図的に点欠陥を導入し，形成される深い準位との相関を調べている．これまで，エネルギー401 keVの電子線を照射することによって，２つの電子トラップEE1(Ec-0.13 eV)およびEE2(Ec-0.9 eV)がDLTS測定によって観察されることを報告してきた．本研究では，エネルギー401 keVの電子線照射によって，n-GaN中に形成されるホールトラップを評価したので報告する．