[18p-PA5-1~22] 6.4 Thin films and New materials

[18p-PA5-11] Electronic states of substrate-stabilized half-monolayer GaSe

〇Hirokazu Nitta¹, Takahiro Yonezawa¹, Antoine Fleurence¹, Yukiko Yamada-Takakura¹, Taisuke Ozaki² (1.JAIST, 2.ISSP, Univ. Tokyo)

Keywords:epitaxial 2D materials, GaSe, Ge(111)

III-VI族層状物質半導体の一種であるセレン化ガリウム（GaSe）は引張応力により3次元トポロジカル絶縁体に相転移することが予測されている。我々は、実験的にGe基板の清浄表面にGaSe薄膜をエピタキシャル成長することに成功しており、薄膜-基板界面を詳細に解析した結果、Ge(111)表面を2原子層GaSeによって終端されていることを明らかにしている。半層GaSe終端Ge基板の電子状態を第一原理計算により調べたところ、伝導帯に線形分散が存在することが示唆された。この結果について、実験結果を含めて議論を行う。