[18p-PA5-1~22] 6.4 薄膜新材料

[18p-PA5-11] 基板によって安定化された二原子層GaSeの電子状態

〇新田 寛和¹、米澤 隆宏¹、フロランス アントワーヌ¹、高村(山田) 由起子¹、尾崎 泰助² (1.北陸先端大、2.東大物性研)

キーワード：エピタキシャル二次元材料、GaSe、Ge(111)

III-VI族層状物質半導体の一種であるセレン化ガリウム（GaSe）は引張応力により3次元トポロジカル絶縁体に相転移することが予測されている。我々は、実験的にGe基板の清浄表面にGaSe薄膜をエピタキシャル成長することに成功しており、薄膜-基板界面を詳細に解析した結果、Ge(111)表面を2原子層GaSeによって終端されていることを明らかにしている。半層GaSe終端Ge基板の電子状態を第一原理計算により調べたところ、伝導帯に線形分散が存在することが示唆された。この結果について、実験結果を含めて議論を行う。