2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

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[18p-PA6-1~3] 9.5 新機能材料・新物性

2019年9月18日(水) 16:00 〜 18:00 PA6 (第一体育館)

16:00 〜 18:00

[18p-PA6-2] 欠損導入した層状半導体(CeO)ZnAsの磁性

曽根 希萌1、高瀬 浩一2、下村 大河1、渡辺 忠孝2、高野 良紀2 (1.日大理工大学院、2.日大)

キーワード:半導体

今回の実験では(CeO)ZnAsに注目する。Ceの原子配置は、4f15d16s2であり、この物質ではCeは+3価であると思われるので、Ce原子は1個の4f電子をもつ。また、希土類酸化物層はブロッキング層であるため、4f電子は局在し、この物質は常磁性半導体となっている。この物質に対してブロッキング層からの電子及びホール注入を酸素欠損とCeと酸素の同時欠損、さらに伝導層からのホール注入をZn欠損で行い、これら物質の磁性の変化を調査した。