[18p-PB1-1~84] 10 Spintronics and Magnetics (Poster)

[18p-PB1-33] Ge (Ga) L_2,3 XAS and XMCD spectra of the full-Heusler-type Co₂MnGe (Ga) film

〇Tomoki Yoshikawa¹, Takashi Kono¹, Masaaki Kakoki¹, Kazuki Sumida², Koji Miyamoto³, Yukiharu Takeda⁴, Yuji Saitoh⁴, Kazuki Goto⁵, Yuya Sakuraba⁵, Kazuhiro Hono⁵, Akio Kimura¹ (1.Grad. Sch. Sci., Hiroshima Univ., 2.Dept. of Physics, Tokyo Institute of Technology, 3.HSRC. Hiroshima Univ., 4.JAEA, 5.NIMS)

Keywords:XMCD, Heusler alloy film, Half-metallic compound

Alキャップを施したCo₂MnGe (Ga)フルホイスラー合金薄膜においてGa(Ge) L_2,3吸収端におけるXMCDをSPring-8 BL23SUにて観測した。また、GaおよびGe L_2,3吸収端とXMCDスペクトルと第一原理計算による非占有側のGe(Ga)におけるd軌道部分状態密度(PDOS)を比較した。その結果、Ge(Ga)のXMCD スペクトルが、Ge(Ga) d軌道の小さくスピン分裂した多数スピンと少数スピンバンドの差分により定性的に説明できることが分かった。