[18p-PB1-1~84] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[18p-PB1-75] Micromagnetic Study of Probabilistic Switching in Perpendicular Double Magnetic Tunnel Junctions

〇吉田 親子¹、田中 智大¹、安宅 正¹、古屋 篤史¹ (1.富士通)

キーワード：二重磁気トンネル接合、スピントランスファートルク反転、マイクロマグネティックシミュレーション

二つの参照層(RL)を持ったdouble MTJのスピントルクスイッチング性能をマイクロマグネティックシミュレーションを用いて調べた。一つのRLが磁化可変でもう一つが磁化固定のMTJの正電圧下におけるスイッチング電圧は、二つのRLがともに磁化固定なMTJに比べて大きいことがわかった。磁化可変なRL層の磁化が安定でなく、スイッチング効率が低くなったためと思われる。