[18p-PB3-1~2] 15.2 II-VI and related compounds

[18p-PB3-1] Initial Growth Mechanism of (ZnO)_1-x(InN)_x Using the First Principles Calculation

〇(M2)Ryota Furuki¹, Masato Oda¹, Yuzo Shinozuka¹ (1.Wakayama Univ.)

Keywords:ZnO, first principles calculation, crystal growth

最近、(Ⅱ-Ⅵ)_1-x(Ⅲ-Ⅴ)_x混晶半導体として、酸化亜鉛と窒化インジウムの新規混晶半導体 (ZnO)1-x(InN)x (以下ZIONと称する) が九州大学のグループによって合成された。ZIONは擬2元混晶系で安定なWurzite構造を有し、組成比によってバンドギャップを制御可能なため、光デバイスや励起子を利用したエキシトントランジスタへの応用が期待されている。本研究では、ZIONの結晶成長の初期段階に関する知見を得ることを目的に、ZnO(0001)表面に対する、In及びN原子の吸着エネルギーが(0001)表面の極性にどのように依存するか、またZnO表面にInNがどのように取り込まれるかについて第一原理計算を用いて調べた。