[18p-PB4-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18p-PB4-10] ラマン散乱分光法による歪み内蔵SiCウェハの評価2

〇(M2)小椋 夕紀¹、酒井 慎介² (1.千葉工大工、2.(株)サクセス)

キーワード：SiC、ラマン散乱分光法、応力

低コスト化の面からSiCウェハの大口径化が重要である。我々は、反りが大きく歪みが内蔵されていると考えられる4H-SiCウェハをラマン散乱分光法によって評価した結果を2018年の秋の応用物理学会で報告した。又、SiCウェハは予稿集の図1の様に安定状態と準安定状態の2つの状態に変形する為、今回はこの変形を繰り返す事でウェハの経時変化の観測を行った。