[18p-PB5-1~36] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [18p-PB5-12] Epitaxial crystallization of Ga₂O₃ thin films on various substrates and buffer layers by room temperature pulsed laser irradiation

〇(M1)Takumi Matsushima¹, Hiroyuki Morita¹, Nobuo Tsuchimine², Satoru Kaneko^3,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech. Materials, 2.TOSHIMA Manu., 3.KISTEC)

Keywords:Room temperature pulsed laser irradiation, Ga2O3 thin films, Epitaxial crystallization

Ga₂O₃は、α~εの多形をとるワイドギャップ半導体である。Ga₂O₃のエピタキシャル薄膜の作製には400℃を超える高温プロセスが必要とされてきたが、高温成膜は粗大な成長粒や、異種材料界面での原子拡散を生じ、積層薄膜における反応層生成など、Ga₂O₃のデバイス形成の課題となる。本研究では、エキシマレーザーアニーリングを用いた室温でのGa₂O₃結晶化における構造制御を目的として、基板やバッファ層のGa₂O₃薄膜の結晶成長に与える影響を検討した。