[18p-PB5-1~36] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-PB5-16] Plasma-assisted deposition of the Ga-doped ZnO TCF by using a roll-to-roll method (2)

〇Tsutomu Muranaka¹, Yuhei Tsuchiya¹, Taiga Aoki¹, Norio Onojima¹, Yoichi Nabetani¹, Takashi Matsumoto¹, Satoshi Hiraki², Kazuhiro Kijima³, Takashi Nakamura³, Osamu Abe³, Hiroshi Kono³, Shigeru Hagihara³ (1.Univ. of Yamanashi, 2.Nakaya Corp., 3.Yamanashi Ind. Tech. Center)

Keywords:zinc oxide, transparent conducting film, roll-to-toll

II-VI族化合物半導体である酸化亜鉛(ZnO)は、3.37 eVと広いバンドギャップを持ち、可視光領域において透明である。また、キャリア密度が高いため、抵抗率が低く、電気伝導性に優れている。我々の研究グループは、これまでに、低温・低損傷プロセスであるプラズマ支援分子線堆積(PAMBD)法を用いて、ロール・ツー・ロール(Roll-to-roll, RTR)方式によって形成したGa添加ZnO(GZO)透明導電膜の作製と評価を行ってきた。今回の報告では、RTR方式によるGZO成膜プロセスの長時間安定性について検討した結果について報告を行う。