The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Joint Session K » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-PB5-1~36] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Wed. Sep 18, 2019 4:00 PM - 6:00 PM PB5 (PB)

4:00 PM - 6:00 PM

[18p-PB5-18] Gas Sensing and Electrical Properties of Mg- or Ca-doped ZnO Films

Yutaka Adachi1 (1.NIMS)

Keywords:hydrogen gas sensor, temperature dependence of conductivity

ZnOはn型酸化物半導体で、ガスセンサへの応用が可能であり、環境あるいは健康モニタリングへの応用のために、特性の更なる改善が望まれている。センサ特性に影響するパラメーターとして、粒子サイズ、粒子形状、粒子最表面を構成する結晶面、添加不純物の種類、量などがあるが、それらパラメーターは相関しており、どれかひとつのパラメーターだけを変化させたサンプルを作製することは難しい。本研究では、特定の結晶面が最表面となっているエピタキシャル薄膜を用いることにより結晶面と結晶粒サイズの影響を抑え、不純物添加がガスセンシグ特性にどのように影響を及ぼすかについて調査した。