[18p-PB5-1~36] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-PB5-3] Epitaxial growth of α-Ga₂O₃ thin film on flexible synthetic mica by insertion buffer layer

〇Yuta Arata¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Daisuke Tahara¹, Kazuki Shimazoe¹, Yusuke Ito¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:gallium oxide, flexible, buffer layer

本研究では、パワーデバイス応用が大いに期待されているワイドバンドギャップ半導体α-Ga₂O₃を曲げられる状態で得るため、容易な薄層化が可能な合成雲母上へミストCVD法を用いた薄膜成長を実施した。コランダム構造を有するα-Fe₂O₃をバッファ層として挿入することで、薄層化した合成雲母上にα-Ga₂O₃がエピタキシャル成長した。試料は薄膜の剥離など生じることなく容易に曲げられることが確認でき、フレキシブルなα-Ga₂O₃薄膜のエピタキシャル成長に初めて成功した。