[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-PB5-34] a-InGaZnO TFTの静電位測定への応用

〇岩松 新之輔¹、竹知 和重²、田邉 浩²、加藤 睦人¹ (1.山形県工技セ、2.Ｔｉａｎｍａ　Ｊａｐａｎ)

キーワード：静電ポテンシャルセンサ、インジウム-ガリウム-亜鉛酸化物薄膜トランジスタ

半導体素子の微細化、高密度集積の進展に伴い、静電気対策の必要性が高まっている。これまで我々は、デュアルゲート型a-InGaZnO TFTのドレイン電流が帯電物の接触により変化することを確認し、静電気センシングのポテンシャルを報告している。本研究では、ボトムゲート型a-InGaZnO TFTを用いて静電気への感受性を評価したので報告する。