[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-PB5-5] α-Ir₂O₃のバッファ層による結晶性への効果

〇北出 大樹¹、韓 欣一¹、竹本 柊¹、金子 健太郎¹、四戸 孝²、藤田 静雄¹ (1.京大院工、2.株式会社FLOSFIA)

キーワード：酸化イリジウム、酸化物半導体

次世代のパワーデバイス材料として，酸化イリジウムが注目されている．しかし酸化イリジウムを作製する際に，従来の原料ではその溶液濃度の低さから成長レートを上げることが困難であった．一方，濃度の高いクロライド原料を用いた場合は，成長レートは上がるが表面平坦性が低くなり，平坦性の改善が望まれていた．本研究ではバッファ層上にクロライド原料を用いて成膜を行い，バッファ層が結晶性に与える影響について調査した．