[19a-B11-1~9] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[19a-B11-8] Correlation between two energy levels of individual MOS interface traps I

〇Toshiaki Tsuchiya¹, Masahiro Hori¹, Yukinori Ono¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:silicon, single interface trap, density of states

これまでにチャージポンピング法を駆使して，単一MOS界面トラップにおける電子準位対のエネルギー密度分布（DOS）を導出し，バンドギャップ内に非対称な2つのピークがあることを示した．今回，このピーク位置にあるアクセプタ（A）型準位と対をなすドナー型（D）準位のエネルギー位置，および，ピーク位置にあるD型準位と対をなすA型準位のエネルギー位置を求め考察した．