[19a-E208-1~10] 【CS.3】 3.10 光量子物理・技術、3.11 フォトニック構造・現象、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、11.5 接合、回路作製プロセスおよびデジタル応用、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション

[19a-E208-9] NbNフルエピタキシャル接合を用いた超伝導量子ビットの作製・評価

〇寺井 弘高¹、金 鮮美¹、布施 智子¹、丘 偉¹、山下 太郎^2,3、吉原 文樹¹、仙場 浩一¹ (1.情通機構、2.名大工、3.さきがけ)

キーワード：超伝導量子ビット、窒化ニオブ、ラビ振動

超伝導量子ビットのコヒーレンス時間の延伸を目指して、Al/AlO_x/Al接合に変わる接合技術として、Si基板上にTiNバッファ層を用いて作製したフルエピタキシャルNbN/AlN/NbN接合を開発した。この接合技術を用いてトランズモン量子ビットを作製・評価した結果、明瞭なラビ振動を観測し、ラビ振動の減衰時間として1.2 usを得た。