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[19a-E301-8] 自立GaN基板上に作製したGaN-on-GaN HEMTの絶縁破壊電界評価
キーワード:GaN、HEMT、破壊電界
AlGaN/GaN HEMT は高電圧動作が可能な次世代のパワーデバイスとして期待されている。しかし、これまで試作されたAlGaN/GaN HEMTの実効破壊電界は、用いる基板材料によらず1 MV/cm以下に留まることが知られている。本研究では、自立半絶縁性GaN基板上にAlGaN層のみを再成長したHEMTを試作した結果、実効破壊電界として1.3 MV/cmの良好な耐圧特性が得られたので報告する。