[19a-E301-1~9] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19a-E301-9] Characterization of frequency in AlGaN/GaN MOS HEMTs

〇Takashi Ozawa¹, Joel Asubar¹, Hirokuni Tokuda¹, Yohei Yagishita², Yoichi Kawano², Masaaki Kuzuhara¹ (1.Fukui Univ., 2.Fujitsu Lab.)

Keywords:GaN, ft, fmax

AlGaN/GaN HEMTは低オン抵抗、高耐圧特性を有するパワーデバイスとして期待されている
。現在マイクロ波帯で動作するHEMTは主にゲートをショットキー障壁金属で構成したMES-HEMTである。本研究では、ゲート電極下にAl₂O₃膜を持つAlGaN/GaN MOS-HEMTを試作し、その直流特性およびマイクロ波帯で測定したSパラメータから算出した電流遮断周波数(f_t)と最大発振周波数(f_max)について検討したので報告する。