[19a-E303-1~6] 16.2 Energy Harvesting

△ [19a-E303-1] Modification of thermoelectric property and p- / n-type conduction of vanadium oxide-based amorphous thin film formed by uniaxial compressive annealing

〇Subaru Nakanishi¹, Yoshiharu Shinozaki¹, Satoru Kaneko^2,1, Yoshisato Kimura¹, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech. Materials, 2.KISTEC)

Keywords:vanadium oxide, amorphous thin film, uniaxial compressive annealing

我々は酸化物薄膜への一軸加圧下熱処理(UCA)を非晶質薄膜に対して行い，面直の圧力印加による結晶成長の抑制や圧力誘起のカチオン価数制御を報告してきた。本研究では，新規な酸化バナジウム系非晶質薄膜熱電材料の創製と特性制御を目的として，UCAプロセスを用いた結晶化抑制と価数制御を狙い，酸化バナジウム系非晶質薄膜の成膜条件及びUCA条件が結晶析出抑制ならびにp型/n型制御，電気伝導率にどのような影響を与えるか調査した。