[19a-E308-1~9] 17.3 層状物質

[19a-E308-8] VO₂/MoS₂界面におけるフェルミレベルピンニング

〇山本 真人¹、野内 亮^2,3、神吉 輝夫¹、中払 周⁴、服部 梓¹、谷口 尚⁴、渡邊 賢司⁴、若山 裕⁴、上野 啓司⁵、田中 秀和¹ (1.阪大産研、2.阪府大工、3.JSTさきがけ、4.物材機構、5.埼玉大院理工)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、二酸化バナジウム、二硫化モリブデン

本研究では、室温近傍で金属ー絶縁体相転移を示すVO₂をソース・ドレイン電極とするMoS₂トランジスタを作製し、その接合特性を詳細に調べた。その結果、VO₂/MoS₂との界面ではVO₂の相状態に関わらずフェルミ準位がMoS₂の伝導帯付近でピンニングされ、200 meVほどの障壁が形成されていることが分かった。