2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月19日(木) 09:00 〜 11:45 E310 (E310)

岩谷 素顕(名城大)、関口 寛人(豊橋技科大)

09:45 〜 10:00

[19a-E310-4] AlN導波路第二高調波発生デバイスのための集光グレーティング結合器

〇(M2)森岡 佳紀1、上向井 正裕1、上杉 謙次郎2、正直 花奈子2、三宅 秀人2、森川 隆哉1、藤原 康文1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.大阪大学、2.三重大学)

キーワード:AlN、グレーティング結合器、光導波路

我々はAlN横型擬似位相整合チャネル導波路SHGデバイスを作製し、青色領域におけるSHGを実証した。しかし、その導波路断面は微小であり、端面結合によるレーザ光入射は非常に困難である。導波路型グレーティング結合器を用いれば、その開口の大きさより入射ビームの位置合わせが格段に容易となる。本研究では、AlNチャネル導波路にレーザ光を結合させる集光グレーティング結合器とテーパ型導波路の設計と作製を行った。