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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月19日(木) 09:00 〜 11:45 E310 (E310)

岩谷素顕(名城大)、関口寛人(豊橋技科大)

10:30 〜 10:45

△ [19a-E310-6] Tm添加GaNを活性層に用いた超波長安定近赤外発光ダイオードの作製

〇吉岡尚輝¹、市川修平¹、舘林潤¹、藤原康文¹ (1.阪大院工)

キーワード：Tm、近赤外発光ダイオード、超波長安定