[19a-E313-1~10] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [19a-E313-4] Electron-beam-induced crystallization of amorphous GeSn

〇Ryo Motomura¹, Kohei Inenaga¹, Manabu Ishimaru¹, Masayuki Okugawa², Ryusuke Nakamura² (1.Kyusyu Inst. Technol., 2.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:GeSn, semiconductor

本研究では、透過電子顕微鏡内でアモルファスGeSnに電子線照射を施し、結晶GeSnの低温合成を試みた。その結果、7.1at.%のSn濃度を含む粒径300nm程度の結晶GeSnを室温にて作製することに成功した。この電子線照射試料に熱処理を施したところ、熱処理のみを行った試料と比べて、Sn濃度の変化がほとんどなく、300℃まで安定に存在することが確認された。