The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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3 Optics and Photonics » 3.13 Semiconductor optical devices

[19a-PA3-1~10] 3.13 Semiconductor optical devices

Thu. Sep 19, 2019 9:30 AM - 11:30 AM PA3 (PA)

9:30 AM - 11:30 AM

[19a-PA3-2] Temperature dependence of GaInAsP / GaInAsP SCH-MQW laser diode on wafer bonded InP/Si substrate

Takahiro Ishizaki1, Xu Han1, Masaki Matsuura1, Koki Tsushima1, Takuto Shirai1, Kazuhiko Shimomura1 (1.Sophia University)

Keywords:laser diode, InP/Si, Direct bonding

情報伝送量の増加に伴い光インターコネクションの実現が望まれる。光インターコネクション実現のためにSi基板上に光デバイスが集積されるが、Siは間接遷移半導体のため発光デバイスに不向きである。そこで我々はInPとSiを直接貼り付けした上で、InP面にⅢ-Ⅴ族デバイスをMOVPE成長させる方法を提案している。これによりSiとInP系の格子定数差などの問題を解決している。本研究では、InP/Si基板上MQWレーザの高温度発振特性について述べる。