2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[19a-PA3-1~10] 3.13 半導体光デバイス

2019年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 PA3 (第一体育館)

09:30 〜 11:30

[19a-PA3-3] InP基板及び直接貼付InP/Si基板上自己形成InAs量子ドットのPL特性について

白井 琢人1、韓 旭1、松浦 正樹1、石崎 隆浩1、対馬 幸樹1、下村 和彦1 (1.上智大理工)

キーワード:量子ドット、InP/Si、直接貼付

近年、電気配線を光配線に置き換えるシリコンフォトニクスに関する研究が盛んに行なわれている。これに対し、我々は薄膜InP層とSi基板を直接貼付法によって貼合わせ、InP系結晶の成長を行う手法を提案してきた。本研究では、InP/Si基板とInP基板上にInAs量子ドットを成長し、両成長基板の表面状態の比較、並びにレーザ構造を成長しPL測定の比較を行ったので報告する。