[19a-PA4-1~14] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[19a-PA4-5] Change in the passivation quality of SiN_x films by NH₃-based radical treatment by Cat-CVD

〇Yoshiaki Sumitomo¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:SiNx, Cat-CVD, Radical treatment

Cat-CVD装置でのNH₃系ラジカル処理がSiN_x膜のパッシベーション性能に与える影響について、触媒体温度、ガス流量、圧力に対する依存性を調査した。触媒体温度1500 °C以下では1 ms程度のτ_effが得られたが、触媒体温度2100 °Cではτ_effは1 msを下回った。これは処理中に触媒体のタングステンが混入した可能性が考えられる。NH₃系ラジカルにSi表面を曝露する際、適切な処理条件の選定が必要である。