[19a-PB3-1~25] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[19a-PB3-5] Reduced resistance of TiO₂:Sm:Nb using as light emitting layer

〇(M1)Kenji Sato¹, Guan Sujun¹, Zhao Xinwei¹, Komuro Syuji² (1.Tokyo univ sci., 2.Toyo Univ.)

Keywords:semiconductor, LED, TiO2

NbとSmをTiO₂に共添加することによる低抵抗発光層を目指して研究を行った。
試料にはTiO₂:SmにNb₂O₃をx wt％ 共添加したターゲットを使用し、Si基板上に400 nm 成膜し
た。成膜後、試料は真空中で300〜800 ℃ で5 min アニールを行った。
x＝0.1でのアニール温度ごとのPL Intensityを比較すると、700 ℃ ではx＝0より高い発光強度
示した。x＝0.1とx＝1.0はx＝0よりも抵抗が低く、x=11はｘ＝0と同程度であった。x＝0.1の700 ℃ アニールが最も低い値を示した。