[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[19a-PB5-10] Influence of Strained-Layer Superlattice Buffer on Surface Morphology and Electron Transport Properties of InSb HEMT Structures

〇Takuya Hayashi¹, Takushi Otsubo¹, Naoyuki Kishimoto¹, Yuki Endoh¹, Mizuho Hiraoka¹, Issei Watanabe², Yoshimi Yamashita², Shinsuke Hara², Takahiro Gotow², Akifumi Kasamatsu², Akira Endoh¹, Hiroki Fujishiro¹ (1.TUS, 2.NICT)

Keywords:High Electron Mobility Transistor, semiconductor, crystal growth

InSbは電子の有効質量が小さく電子移動度が高いことから、HEMTのチャネル材料として期待されている。しかし、InSbには格子整合する適当な基板が存在しないため、GaAs基板上に成長させることが多い。その際に、多量の転位が発生し、転位が電子の散乱源となって電気的特性の劣化が起こる。そこで、SLS構造(InSb/Al_0.15In_0.85Sb）の周期数とSLS各層のInSb層厚を変えてHEMT構造を成長し、表面形態と電気的特性への影響を調べ、特性向上に適するバッファ構造を探索した。