[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[19a-PB5-11] Electron Transport properties of Ga_1-xIn_xSb Quantum Well Channel Using Strained-Al_0.40In_0.60Sb/Al_1-yIn_ySb Stepped Buffer

〇Mizuho Hiraoka¹, Yuki Endoh¹, Koki Osawa¹, Naoyuki Kishimoto¹, Takuya Hayashi¹, Ryuto Machida¹, Issei Watanabe², Yoshimi Yamashita², Shinsuke Hara², Takahiro Gotow², Akifumi Kasamatsu², Akira Endoh¹, Hiroki Fujishiro¹ (1.Tokyo Univ. of Science, 2.NICT)

Keywords:High Electron Mobility Transistor, Quantum Well, Strained stepped buffer

GaAs(100)基板上に成長させた歪Al_0.40In_0.60Sb/Al_1-yIn_ySbステップバッファ層を用いた無歪Ga_1-xIn_xSb量子井戸(QW)チャネルの電子輸送特性を調べた。下部Al_1-yIn_ySbのIn組成を大きくすることでシート電子密度および電子移動度の増大が確認された。結果は、歪Al_0.40In_0.60Sb/Al_0.25In_0.75Sbステップバッファを用いた無歪Ga_0.22In_0.78Sb QWチャネルがInSb系HEMTの性能向上に有用であることを示唆している。