The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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15 Crystal Engineering » 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

Thu. Sep 19, 2019 9:30 AM - 11:30 AM PB5 (PB)

9:30 AM - 11:30 AM

[19a-PB5-17] Absolute surface energies of AlGaN(0001) using wedge-shape geometry method

Katsuya Nagai1, Shinnosuke Tsumuki1, Akiyama Toru1, Abdul Muizz Pradipto1, Kohji Nakamura1, Tomonori Ito1 (1.Mie univ)

Keywords:AlGaN, Surface energy, First principles calculation

AlGaNはⅢ族原子の組成比の変化に伴ってバンドギャップを変化させることができるため深紫外線発光デバイスなどへの応用が期待されている。本研究ではAlGaNにおける表面エネルギーの算出方法をwedge-shape geometry法に基づき考案し、異なるAl組成のAlGaNにおける表面エネルギーを算出し、その計算結果に基づきAlGaNにおける表面構造および表面エネルギーの組成依存性について検討する。