2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2019年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 PB5 (第二体育館)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-9] チャネルスケーリングがSb系HEMT構造の電子輸送特性に及ぼす影響

岸本 尚之1、熊坂 昂之輔1、遠藤 勇輝1、林 拓也1、平岡 瑞穂1、白井 脩策1、吉田 直史1、町田 龍人1、渡邊 一世2、山下 良美2、原 紳介2、後藤 高寛2、笠松 章史2、藤代 博記1、遠藤 聡1 (1.東理大基工、2.情報通信研究機構)

キーワード:高電子移動度トランジスタ、分子線エピキタシー、量子井戸

遮断周波数の向上には、小さな電子有効質量(m)及び高い電子移動度(μ)を有するSb系材料が期待される。本研究では、InSbとGaInSbチャネルのチャネルスケーリングに対する適合性を調査した。 GaInSbチャネルはm*が大きいためμが小さくなるが、伝導帯不連続が大きいためシート電子濃度も大きくなる。 GaInSb HEMT構造は、チャネル及びスペーサ膜厚が減少しても、より小さなシート抵抗が得られ、チャネル材料としてのの優位性を示している。