[19p-B31-1~8] New development of surface and interface evaluation methods for thin films

[19p-B31-2] New Developments on Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy:Resonance Measurements and Electronic State Observation of Solutions

〇Eiji Ikenaga^1,2, Yasui Akira², Masaichiro Mizumaki², Naomi Kawamura², Satoshi Tsutsui², Naoki Kanayama^3,4, Kojiro Mimura⁵ (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.JASRI, 3.RIKEN, 4.Shinshu Univ., 5.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:Hard X-ray PhotoEmission Spectroscopy: HAXPES, Resonance Measurements, Ambient Pressure Cell

非破壊深さ分析を目的として、高輝度放射光の高エネルギーX線 (6～10 keV) を励起光源として用いた硬Ｘ線光電子分光法（Hard X-ray PhotoEmission Spectroscopy: HAXPES）がSPring-8で開発され、いまではその特長が広く認知されている。HAXPESを用いた深さ分析は、これまでに透明アモルファス酸化物半導体a-InGaZnO高品質化開発や光ディスク材Ge₂Sb₂Te₅記録の仕組み解明、ゲート積層技術開発等を主としたエレクトロニクスデバイス創成に貢献してきた。近年の融合研究領域の開拓を目的とした、新たな取り組みであるHAXPESにおける“共鳴計測”および“溶液の電子状態観測” を紹介する。