2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.1 基礎物性

[19p-C213-1~18] 11.1 基礎物性

2019年9月19日(木) 13:30 〜 18:30 C213 (C213)

尾崎 壽紀(関西学院大)、長尾 雅則(山梨大)、石田 茂之(産総研)

18:00 〜 18:15

[19p-C213-17] Sm(O,F)BiS2単結晶の育成と超伝導特性の評価

〇(M1)木南 幸希1、花田 祐二1、長尾 雅則1、三浦 章2、後藤 陽介3、丸山 祐樹1、綿打 敏司1、高野 義彦4、田中 功1 (1.山梨大工、2.北大、3.首都大、4.NIMS)

キーワード:単結晶、フラックス法、層状超伝導体

BiS2層を超伝導層とするBiS2系超伝導体の一つであるR(O,F)BiS2(R=La, Ce, Pr, Nd)単結晶の育成が報告され, その固有特性が明らかとなってきた. しかし, Ndよりさらにイオン半径の小さいSmがRサイトを全置換したSm(O,F)BiS2の単結晶は, 育成の報告がなく, その評価も行われていなかった. 本研究ではKI-KClフラックスを用いることでSm(O,F)BiS2の単結晶育成に成功し, 超伝導特性の評価を行った.